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ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET

来源: 编辑: 时间:2020/12/31

  24款适用于工业设备及大型消费电子设备的-40V和-60V耐压产品全新上线

  全球闻名半导体制造商ROHM(总部坐落日本京都市)推出十分适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的合计24款Pch MOSFET*1/*2产品,其间包含支撑24V输入电压的-40V和-60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。

  本系列产品作为ROHM具有丰盛商场成绩的Pch MOSFET产品,选用了第五代新微米工艺,完成了业界超低的单位面积导通电阻*3。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品下降62%、-60V耐压产的导通电阻较以往产品下降52%,有助于完成设备的节能性和小型化。

  此外,经过优化元件结构并选用有利于改进电场会集问题的新规划,进一步进步了产质量量,并使遍及认为彼此对立的产品可靠性和低导通电阻两者一起得到统筹,然后有助于寻求高质量的工业设备长时间安稳运转。

  本系列产品已于2020年8月份开端暂以月产100万个的规划投入量产(样品价格 200日元/个,不含税),产品可经过AMEYA360、SEKORM、Right IC、ONEYAC网售渠道购买。前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰国)。

  未来,ROHM将持续扩展封装阵型,以支撑更广泛的运用。一起,还方案推动车载级产品的开发。除此以外,跟着人们运用网络的“云端”作业形式和日子形式的快速开展,需求进一步丰厚适用于需求日益扩展的数据中心服务器以及5G基站的产品阵型。ROHM在此次推出的第五代Pch MOSFET基础上,还将持续推动更高功率的Nch MOSFET*2开发作业,为削减运用产品的规划工时并进步可靠性和功率做出奉献。

  近年来,在工业设备和消费电子设备等范畴,选用高输入电压的电源电路来完成高档操控的客户越来越多,关于MOSFET产品,除了低导通电阻的要求之外,也表现出对高耐压功能日积月累的需求。

  MOSFET产品分为Nch与Pch两种,而高功率的Nch运用更为遍及,但在高边运用Nch MOSFET时,需求栅极电压高于输入电压,因而就存在电路结构变得更杂乱的问题。而运用Pch MOSFET则可以用低于输入电压的栅极电压进行驱动,因而可简化电路结构,一起还有助于减轻规划担负。

  在这种布景下,ROHM选用第五代微米工艺,成功开宣布可支撑24V输入、-40V/-60V耐压的低导通电阻Pch MOSFET。

  <新产品特色>

  1.完成业界超低导通电阻

  新产品选用ROHM第五代微米工艺技能,使栅极沟槽结构*4较ROHM以往产品更为详尽精细,并进步了电流密度,然后在支撑24V输入的-40V/-60V耐压Pch MOSFET范畴中,完成了极为超卓的单位面积低导通电阻。-40V耐压产品的导通电阻较以往产品下降62%,-60V耐压产品的导通电阻较以往产品下降52%,十分有助于运用设备的节能性与小型化。

  2.选用新规划,质量明显进步

  新产品充分运用了迄今为止堆集的可靠性相关的技能经历和窍门,优化了元件结构,一起选用新规划,改进了最简略发生电场会集问题的栅极沟槽部分的电场散布,完成了质量的大幅度进步。在不献身导通电阻的前提下,又成功进步了本来与之存在此起彼消联系的可靠性,然后可改进在高温偏压状态下的元件特性劣化问题,有助于寻求更高质量的工业设备完成长时间安稳运转。

  3.丰厚的产品阵型,有助于削减很多运用产品的规划工时并进步可靠性

  此次推出的新产品包含-40V和-60V耐压的共24款产品,适用于FA设备、机器人以及空调设备等运用。未来将持续扩展更丰厚的封装阵型,以支撑工业设备范畴之外的更广泛运用,一起还方案开发车载级产品。此外,选用新结构的新一代工艺不只运用在Pch MOSFET产品上,还会运用在Nch MOSFET产品上并扩展其产品阵型,为更多的运用产品削减规划工时和进步可靠性奉献力量。

  <产品阵型>

  <运用示例>

  ■FA设备、机器人、空调设备等工业设备用电扇电机和电源办理开关

  ■大型消费电子设备用电扇电机和电源办理开关

  <术语说明>

  *1) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

  金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。用作开关元件。

  *2) Pch MOSFET / Nch MOSFET

  Pch MOSFET:经过向栅极施加相关于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动,因而电路结构较为简略。

  Nch MOSFET:经过向栅极施加相关于源极为正的电压而导通的MOSFET。比较Pch MOSFET,漏源间的导通电阻更小,因而可削减惯例损耗。

  *3) 导通电阻

  使MOSFET发动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值越小,则运转时的损耗(电力损耗)越少。

  *4) 沟槽结构

  沟槽(Trench)意为凹槽。是在芯片外表构成凹槽,并在其侧壁构成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻,比平面结构更简略完成微细化。